蒋美萍

蒋美萍
博士、教授

常州大学数理学院
江苏常州 213164
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E-MAIL:mpjiang@cczu.edu.cn
个人网页:
教育背景:
1979.09-1983.07 厦门大学物理系 物理学专业 理学学士
2001.09-2006.06 南京理工大学材料系 材料物理与化学专业 工学博士
工作履历:
2006.07- 常州大学 教授
1997.07-2006.06 江苏工业学院 副教授
1990.12-1997.06 江苏化工学院 讲师
学术兼职:
江苏省物理学会常务理事,常州市物理学会理事长
主授课程:
大学物理 大学物理实验 数学物理方程 半导体物理
研究领域:
半导体材料 功能薄膜材料 负折射率材料及光子晶体
奖励与荣誉:
1. 常州市优秀教育工作者
2. 常州市十佳女教育工作者
3. 江苏工业学院优秀青年骨干教师
4. 获国家“八五”科技攻关重大科技成果证书
5. 江苏省高等教育教学成果二等奖
6. 常州市优秀科技论文一等奖1篇
7. 常州市优秀科技论文二等奖1篇
8. 江苏工业学院优秀科技论文2篇
9. 江苏工业学院学科建设先进个人
10. 江苏工业学院教学成果奖5项
11. 江苏工业学院优秀党员
12. 江苏工业学院优秀教师
学术成果:
  • 教材与专著
1. 蒋美萍,陈宪锋,沈小明,唐丽,大学物理辅导,科学出版社,2005
2. 参编:大学物理实验,科学科学出版社,2005
  • 发表论文
1. Fabrication of porous CuO nanoplate-films by oxidation-assisted dealloying method. Surface and Coatings Technology, (SCI 2区)
2. Bias deposition of nanoporous Cu thin films. Mater. Lett., (SCI 2区)
3. Layer-plus-wire growth of copper by small incident angle deposition. Mater. Lett., (SCI 2区)
4. 图案化金属铜膜的SIAD法自组装制备.科学通报
5. 不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响.半导体学报, (EI)
6. SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究. 微细加工技术, (EI)
7. 含负折射率介质Bragg微腔的缺陷模研究., 中国激光, (EI)
8. 左手材料平板波导的传输特性. 中国激光, (EI)
9. 介质层厚对含负折射率介质Bragg微腔的影响.光子学报, (EI)
10. 含负折射率介质非线性Bragg腔的双稳态特性.光子学报, (EI)
11. Bragg微腔中非线性介质相位共轭波的增强效应.光电子.激光, (EI)
12. Optical transmission properties of Bragg microcavity containing left handed materials. SPIE.,(EI)
13. Analysis of bistable switching threshold in one-dimensional photonic crystals. SPIE.,(EI)
14. 介质层厚对含负折射率介质Bragg微腔的影响.光子学报., (EI)
15. Controllable synthesis of CuNWs in high yield and their potential applications in SPR based fields. Appl. Mech. Mater., (EI)
16. Preparation of Ta-Ti co-doped VO2 polycrystal thin film with high resistance tempetature coefficient and without hysteresis. Advan. Mater. Res., (EI)
17. Stability of the vanadium oxide film forme by reactive sputtering and ion beam enhanced deposition methods. Advan. Mater. Res., (EI)
18. Far-field properties of vectorial cosh-squared-Gaussian beams beyond the paraxial approximation. Appl. Mech.Mater., (EI)
  • 专利成果
1. 一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法, 中国发明专利, 专利申请日: 2011.6.29, 授权公告日: 2014.2.5, 专利号: ZL 201110179386.3
2. 一种单晶铜纳米线的可控制备方法, 中国发明专利, 专利申请日: 2011.5.31, 授权公告日: 2014.2.10,专利号: ZL 201110144380.2
3. 纳米多孔铜薄膜的制备方法, 中国发明专利, 专利申请日: 2012.12.17, 申请号: 201210544649.0
研究项目:
     主持和参与国家“七五”、“八五”科技攻关项目2项、国家自然科学基金项目3项、省自然科学基金项目1项、香港特区政府资助自然科学研究项目1项、教育部教学指导委员会教研项目1项、省教育厅自然科学基金项目2项、企业科技合作项目等近10项。