【学术讲座】12月23日东南大学博士生导师孙伟锋教授学术讲座
报告人：孙伟锋
报告题目：功率半导体技术发展
报告时间：2025年12月23日14:00
报告地点：立功楼402 会议室
报告简介：功率半导体作为电能转换与管理的核心器件，其技术进步直接推动着能源、交通、工业等领域的深刻变革。第一代为硅基双极器件，奠定了功率控制的基础。第二代以硅基场控器件为核心，以IGBT和功率MOSFET为代表，实现了高频与高效能的重大突破。第三代以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带半导体为标志，凭借高耐压、高频、高效及耐高温的卓越特性，正引领新能源汽车、可再生能源等领域的技术升级。当前，以氧化镓（Ga2O3）和金刚石为代表的第四代超宽禁带半导体已成为前沿研究方向。本报告将系统梳理功率半导体从硅基器件到宽禁带半导体的技术演进脉络。
报告人简介：孙伟锋，东南大学集成电路学院院长，教育部长江学者，国家教学名师，江苏特聘教授，东南大学首席教授，博士生导师，数字感知芯片技术全国重点实验室副主任、IEEE高级会员、IEEE ED/SSC Nanjing Chapter主席，中国电子学会高级会员、中国电源学会高级会员。
获国家教学成果一等奖（排名第7）、国家教学成果二等奖2项（排名第1和第4）、江苏省教学成果特等奖2项（排名第1和第7）、宝钢优秀教师特等奖（2019年全国共8人）、霍英东教育教学奖二等奖。
长期从事功率器件、功率集成电路与系统的基础理论、关键技术研究，先后主持国家及省部级项目30余项，发表SCI论文300余篇，出版教材1部、专著3部，获得美国专利21项（第1发明人6项）、中国发明专利250余项，获国家技术发明二等奖2项（排名第1和第2）、教育部技术发明一等奖2项（均排名第1）、江苏省科技进步一等奖2项（均排名第1）、日内瓦国际发明展金奖、中国国际工业博览会创新引领奖。获得中国青年科技奖、江苏省青年科技杰出贡献奖、教育部“新世纪优秀人才支持计划”、江苏省十大杰出发明人、江苏省 “333高层次人才培养工程”中青年科技领军人才等荣誉称号；获得江苏省杰出青年基金资助，入选江苏省“青蓝工程”科技创新团队带头人、江苏省“六大人才高峰”创新人才团队负责人，入选中组部“万人计划”－青年拔尖人才支持计划。
