氮化镓射频功率器件研究进展及发展趋势

报告题目：氮化镓射频功率器件研究进展及发展趋势

报告时间：2025年6月11日9：00

报告地点：立言楼 458

报 告 人：

马晓华，西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主任、集成电路学部副主任、国家集成电路产教融合创新平台主任，教育部“长江学者”特聘教授，国务院特殊津贴获得者，国家级领军人才。先后主持“核高基”科技重大专项、“863计划”等国家级项目20余项，发表高水平论文200余篇，获授权发明专利160余件。获国家科学技术进步一等奖、二等奖各1项，省部级一等奖6项，获国家教学成果二等奖1项，入选全国高校黄大年式教师团队。2025年荣获“全国先进工作者”称号。

马晓华教授团队聚焦第三代半导体核心技术突破，在射频器件、功率器件及探测传感器件领域取得系列创新成果，应用于5G通信、雷达探测、卫星通讯等重大工程。团队针对半导体器件频率、功率、效率与可靠性等关键性能指标开展系统研究，引领我国第三代半导体器件达到国际领先水平。2023年团队主导完成“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目研究，突破性地解决了宽带功率放大器在效率提升、带宽扩展与线性优化等方面的技术瓶颈。该成果成功打破国际技术壁垒，助力我国通信设备龙头企业实现基站核心芯片的自主研发与规模化应用，构建起具有自主知识产权的技术防御体系。该成果荣获2023年度国家科学技术进步奖一等奖。