为进一步贯彻党的二十届三中全会精神，推进教育、科技、人才“三位一体”融合发展，聚焦国家战略急需，对接国家和区域产业布局，培养化合物半导体材料、器件与电路的交叉复合型创新人才，做好人才培养的顶层设计，切实提高人才培养质量，近日，学院在立功楼402组织召开王诤集成电路“拔尖创新班”人才培养论证会。西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主任马晓华、微电子学院副院长胡辉勇、教授祝杰杰、集成电路学部本科教育教学办公室主任郭强，东南大学青年首席教授刘斯扬，中国科学院上海技术物理研究所副研究员周松敏，常州承芯半导体有限公司副总经理徐淼、人力资源部经理李东伟，常州纵慧芯光半导体科技有限公司外延部总监李辉杰，中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司总经理金银龙，柯泰光芯（常州）测试技术有限公司技术副总监葛斌、区域经理端木彩虹，常州楠菲微电子有限公司总经理助理夏芸，常州大学教务处处长莫琦，中以机器人产业学院院长徐淑玲，实验室建设与管理处副处长黄勇，材料与电子学部研究院副院长周子尧，材料科学与工程学院副院长张帅，王诤微电子学院（集成电路产业学院）党委书记吴青玲、学术院长陆生礼及青年教师代表等参加会议。吴青玲主持会议。
邱建华详细汇报了王诤集成电路“拔尖创新班”人才培养方案。“创新班”聚焦国家战略急需，对接国家和区域产业布局，主要培养化合物半导体材料、器件与电路的交叉复合型创新人才；跨学科设置课程体系，重基础、重方法、重创新、重实践；采取全员导师制、本科生科研训练计划、一生一赛等措施，培养学生科研思维和创新意识；依托科研院所和企业的真实项目，校研企联合开展项目制教学，培养学生工程实践能力。此外，还重点汇报了毕业与学位要求、人才培养方案学时学分分配、选拔和淘汰机制、校研企合作等内容。
张含汇报了化合物半导体创新联合体微纳加工中心的建设方案。中心建设的主要目的是为满足整班建制的学生教学需求，为集成电路领域的人才培养提供支撑；面向化合物半导体芯片和器件方向的前沿技术，与行业企业协同创新，赋能企业发展。中心将依托王诤微电子学院现有教学科研实验室进行建设，按功能分为微纳加工区、薄膜生长区以及封装测试区。计划新增激光直写式光刻机、离子束刻蚀机、等离子增强化学气相沉积系统、化合物半导体缺陷分析仪等多台设备。中心的建成将有效提升学院在微纳加工和化合物半导体领域的人才培养能力和科研水平，为区域集成电路企业提供技术支持，加速集成电路和光电子器件的产业化进程，助力常州成为全国化合物半导体技术创新的重要基地。
与会专家就人才培养方案和微纳加工中心建设方案进行了深入的交流和讨论。高校及科研院所专家从专业建设的角度，对人才培养方案的课程设置、课时分配、人才培养定位，以及微纳加工中心的实验室安全、管理等重点问题提出了中肯的意见和建议，并分享了兄弟院校的成功经验和做法。企业专家结合行业发展趋势和企业实际需求，对课程设置和实践教学环节提出了宝贵的意见和建议，强调要注重培养学生的创新能力和实践操作能力，使学生能够更好地适应企业岗位要求。校内专家围绕学校的办学定位和人才培养目标，对人才培养进行了全面的审查和指导，提出要进一步突出专业特色，优化课程结构，加强课程之间的衔接和融合。
本次专家论证会的成功召开，为学院拔尖人才培养指明了方向，对于提升学院的人才培养质量、推动学院的内涵式发展具有重要意义。
